2020年9月5日，第二屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在北京中國科學院半導體所學術會議中心成功舉辦。

本屆會議由北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（以下簡稱“聯盟”）、中關村產業技術聯盟聯合會集成電路工作專業委員會主辦，北京北方華創微電子裝備有限公司、國宏中宇科技發展有限公司、中晟光電設備（上海）股份有限公司、山東力冠微電子裝備有限公司、深圳中科系統集成技術有限公司協辦。會議目的是加強第三代半導體材料與裝備企業之間及裝備企業與產業鏈上下游企業之間的互動交流與協同合作，推進“材料、工藝、裝備一體化”發展，加快裝備國產化的需求與進程，實現第三代半導體產業的全面技術突破，緩解“卡脖子”問題。

科技部高新技術發展司副司長雷鵬，科技部高新司材料處處長孟徽，科技部高新司材料處副調研員曹學軍，聯盟理事長吳玲，北京大學理學部副主任、聯盟副理事長沈波，中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、聯盟裝備委員會共同主任唐景庭，中國科學院半導體所副所長楊富華，深圳第三代半導體研究院副院長張國旗，中關村順義園管委會主任張建國，北京新材料和新能源科技發展中心副主任蔡永香，中關村產業技術聯盟聯合會研究部主任段恒等嘉賓及產業鏈專家約200余位參加了本屆大會。聯盟于坤山秘書長主持會議。

科技部高新技術發展司副司長雷鵬在致辭中提到科學技術是第一生產力，創新是引領發展的第一動力。在“十四五”材料領域專項總體布局中，第三代半導體是重要方向。未來的技術發展絕對不是單一的技術發展，而是很多技術的集成，我們要充分發揮集中力量辦大事的優勢，組織行業聯合攻關，協同創新。在國際形勢深刻變化的背景下，希望新材料及第三代半導體的同仁們能同心協辦共同奮斗，為中國從大國到強國的轉變貢獻力量。

中國科學院半導體研究所副所長楊富華在致辭中表示，我國第三代半導體核心材料和裝備與美日歐等發達國家有較大差距，高端裝備嚴重依賴進口，希望通過此次會議，研究出切實解決辦法和各方合作機制，集全國智慧，突破核心技術真正實現中國制造。

聯盟理事長吳玲在致辭中講到，第三代半導體是我國半導體產業發展的重要突破口。材料和裝備是我們短板中的短板，我們需要在各方合作的基礎上，合力推進我國第三代半導體全產業鏈同步提高，實現中華民族崛起的夢想。

隨后，11位嘉賓分別做了精彩的報告，現場氣氛異常熱烈。

北京大學理學部副主任、聯盟副理事長沈波教授做了《新形勢下我國第三代半導體產業面臨的問題和發展機遇》的報告，報告系統的介紹了我國第三代半導體的發展現狀，取得的主要成就，以及研發和產業力量分布和發展趨勢，分析了當前該領域存在的問題和與國際上的差距，對我國第三代半導體研發和產業的未來發展提出了一些看法和建議。

中電科13所副所長，聯盟裝備委員會共同主任唐景庭做了《半導體關鍵裝備的現狀及國產化思考》的報告，指出了我國半導體產業面臨的新形勢以及半導體裝備現狀，并進一步針對第三代半導體裝備國產化從思維和具體操作層面提出建議。

中電科電子裝備集團有限公司高級工程師鞏小亮帶來了《SiC器件制造關鍵裝備發展趨勢及國產化進展》的報告，介紹了碳化硅器件制造關鍵裝備的發展趨勢和國產化進展，在碳化硅單晶、外延、芯片等環節國產裝備已形成全面布局和以競爭促發展的良性局面。電科裝備經過多年持續研發，碳化硅單晶爐、高溫能離子注入機、高溫激活爐等關鍵裝備已實現迭代升級和初步成套應用。

東莞市天域半導體科技有限公司生產總監孔令沂做了《高壓碳化硅電力電子器件研發進展及其典型裝備需求》的報告，主要介紹了碳化硅外延生產線中的外延設備、檢測設備、清洗設備等相關的技術更新需求，提議為后續碳化硅外延材料的廣泛應用做好相關設備的技術更新準備。

全球能源互聯網研究院高級工程師楊霏做了《高壓碳化硅電力電子期間研發進展及其典型裝備需求》的報告，報告結合碳化硅MOSFET最新產業動態，分析了對于碳化硅MOSFET芯片加工、封裝測試裝備的技術需求，結合國內設備技術水平，指出優先發展的國產化設備方向。

北京北方華創微電子裝備有限公司副總裁李謙做了《第三代半導體器件工藝設備國產化探討》的報告，報告分析了5G推動第三代半導體產業發展帶來的新機遇，新挑戰，闡述北方華創在襯底材料及器件工藝的國產化設備解決方案，同時引出思考。通過目前國內外形勢帶來的不確定性與確定性，表達北方華創愿與客戶深化合作，跟進產業節奏，為構建先進，安全，高效，穩固的國產產業鏈貢獻一己之力。

英諾賽科（珠海）科技有限公司高級工藝總監謝文元做了《硅基氮化鎵產業化進展及裝備需求》的報告，介紹了英諾賽科以IDM模式致力于第三代半導體氮化鎵的產業化發展，現已成為全球唯一能同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。希望國產設備以性能佳價格優勢進入，針對第三代半導體提前參與共同開發，共同攀登新高地。

中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁郭世平做了《中微公司研發進展及對國產裝備發展的幾點思考》的報告，報告中匯報了中微公司刻蝕和MOCVD設備的研發進展及對國產裝備發展的一些思考。

國宏中宇科技發展有限公司總經理、聯盟裝備委員會副主任趙然做了《碳化硅單晶及襯底片材料制備與裝備研發的協同發展》的報告，介紹了國宏中宇科技發展有限公司在碳化硅單晶襯底片材料領域技術研發與產業化生產工作過程中基于材料與裝備協同發展思路所取得的部分進展，同時對研發過程中存在的材料與裝備不足與問題提出了具體的協同發展建議。

中晟光電設備（上海）股份有限公司董事長陳愛華做了《產業鏈協同發展加快推動半導體裝備國產化》的報告，報告了中晟MOCVD研發和產業化的進展，產品聚焦深紫外、GaN半導體分立器件和GaAs/InP分立器件應用。陳董事長根據中晟在產業鏈協同發展的實踐，為加快半導體裝備國產化進程，解決安全和先進性，對產業鏈協同發展對提出了具體的建議。

大族激光科技產業集團股份有限公司半導體事業部博士李春昊做了《激光技術在第三代半導體領域的應用》的報告，介紹了大族激光技術在第三代半導體產業中的應用。主要包括：SiC晶圓的改質切割技術、SiC晶錠剝離技術、GaN激光開槽技術、SiC晶圓激光退火技術等。

中電科13所副所長，聯盟裝備委員會共同主任唐景庭主持了以生產過程中關鍵裝備的國產化為主題的互動環節?，F場嘉賓圍繞國內企業近年的裝備需求、裝備企業如何開展合作；如何推進裝備國產化等問題進行了熱烈的討論。

在大會結束后，在聯盟大會議室舉行了聯盟裝備委員會閉門會議。